Descubriendo la no inocencia del dopante de vanadio en nanocristales de TiO2 para el almacenamiento avanzado de energía y las ventanas inteligentes
Madrid / 8 de mayo de 2024
Los NC de TiO2 dopados con vanadio se destacan como un candidato prometedor para aplicaciones de almacenamiento de energía debido a su alta conductividad eléctrica y propiedades redox. Sin embargo, el comportamiento termodinámico del material en condiciones de trabajo no se ha explorado y las razones de su rendimiento superior siguen sin estar claras. Este estudio explora el uso de una combinación de técnicas avanzadas de espectroscopia in situ, que incluyen espectroscopia de absorción de rayos X (XAS), espectroelectroquímica (SEC) y espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS) para proporcionar conocimientos sin precedentes sobre los intrincados mecanismos de reacción electroquímica dentro de estos nanocristales. Los cálculos de la teoría funcional de la densidad y la EIS revelan el papel activo de los iones V sustitucionales en la red de anatasa de TiO2 como donantes de electrones, mejorando la carga superficial y la densidad de portadores y mejorando las propiedades pseudocapacitivas.
Últimas noticias

(a) Espectros Raman y (b) amplificación de TiO2 prístino y dopado con V. Imágenes TEM de muestras de TiO2 prístino (c)–(d) y dopado con V (e)–(f). / JPhys Energy
La voltametría cíclica y la SEC in situ revelan que los NC de TiO2 dopados con V exhiben capacidades de almacenamiento de carga significativamente mejoradas, particularmente en el mecanismo de almacenamiento de pseudocapacitancia. Los análisis SEC y XAS in situ indican que se produce una reducción más efectiva de los iones Ti4+ durante el proceso electroquímico en los NC dopados, lo que conduce a una mayor capacitancia de carga y procesos más rápidos. Además, las mediciones XAS in situ del borde V K revelaron que los iones de vanadio, además de mejorar el comportamiento redox del huésped, también participan activamente en el proceso de reducción. Los cambios significativos en los espectros de estructura fina de absorción de rayos X y XANES del borde V K observados en condiciones de reducción se pueden atribuir a un cambio en la estructura y el estado de oxidación de los iones de vanadio durante la reacción electroquímica.
Noticias relacionadas
Construcción de películas de nanoplaquetas de α-MoO3: un material anisotrópico 2D de cristal de alta calidad para la integración
Madrid / 20 de agosto de 2024Investigadores del Grupo de Procesado por Láser del IO-CSIC, de la Universidad Complutense de Madrid, del Instituto de...
Patrones de interferencia láser de femtosegundo versátiles aplicados a la nanoestructuración de silicio de alta precisión
Madrid / 9 de agosto de 2024Un equipo de investigadoras e investigadores del Grupo de Procesado por Láser del IO-CSIC ha publicado un artículo...
Reestructuración dinámica de sulfuros de níquel para la reacción electrocatalítica de evolución de hidrógeno
Madrid / 2 de agosto de 2024Un equipo internacional con participación del grupo de Procesado por Láser del Instituto de Óptica del CSIC ha publicado...