Últimas noticias

Los dispositivos neuromórficos constituyen una novedosa aproximación a la computación que, inspirándose en el cerebro, pretende fusionar procesamiento y almacenamiento en una única unidad. Las memorias basadas en materiales de cambio de fase (PCM) son candidatos potenciales para este tipo de dispositivos debido a su no volatilidad y excelente escalabilidad, aunque su uso se ve dificultado por la variabilidad de su conductancia y la deriva temporal de su inresistencia.

Recientemente, se ha demostrado que la utilización de heteroestructuras de cambio de fase consistentes en nanocapas del PCM Sb2Te3 intercaladas con TiTe2, un dicalcogenuro de metales de transición que actúa como material de confinación, mitiga en gran medida estos problemas.

El objetivo de mi tesis doctoral es reproducir estos resultados utilizando como material activo la aleación Ge2Sb2Te5 (GST225), el PCM más utilizado en la industria, y explorar nuevas combinaciones de GST225 con distintos materiales confinantes basados en calcogenuros, investigando sus propiedades materiales y eléctricas.

Comunicación IO-CSIC
cultura.io@io.cfmac.csic.es