Caracterización óptica, eléctrica y optoelectrónica del arseniuro de galio supersaturado con titanio
Madrid / 26 de abril de 2024
En este trabajo se presenta una investigación detallada sobre las propiedades del arseniuro de galio (GaAs) sobresaturado mediante implantación de Ti+ seguida de fusión por láser pulsado de nanosegundos (PLM). Las muestras sobresaturadas se analizan mediante caracterización eléctrica, óptica y optoelectrónica. Los resultados de resistencia laminar obtenidos mediante mediciones de configuración de van der Pauw no muestran activación del Ti+ implantado en GaAs semiaislante después de la PLM.
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Imágenes TEM de GaAs recién implantado con Ti (izquierda), GaAs + PLM con una fluencia láser de 0,50 J/cm−2 (centro) y GaAs:Ti + PLM con una fluencia láser de 0,50 J/cm−2 (derecha).
Las medidas de absorbancia muestran una absorción subbanda prohibida (hasta 6,5% para λ = 1000 nm) del GaAs:Ti sobresaturado y del GaAs recién procesado con PLM, con la misma fluencia de fusión láser utilizada (0,50 J/cm−2). Se analiza el origen de esta absorción subbanda prohibida. Las medidas optoelectrónicas muestran una fotorrespuesta subbanda prohibida similar relacionada con la absorción analizada. La fotorrespuesta medida por debajo de la banda prohibida se origina a partir de defectos puntuales introducidos por el proceso PLM.
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